氮化镓龙头英诺赛科重塑全球功率半导体竞争格局

英诺赛科作为全球8英寸硅基氮化镓晶圆量产先锋，截至2024年6月30日，月产能达12,500片，为自主创新与新品试炼筑牢根基。超700项专利及申请涵盖芯片多领域，制造赋能研发，研发反哺制造，芯片成本、交付、工艺迭代全面优化，产品竞争力超群。

公司成本管控卓有成效，直击客户痛点开发产品，精细打磨制造工艺，整合供应链压低成本。8英寸硅基氮化镓晶圆良率超95%，单位晶圆晶粒产出飙升80%、芯片成本大降30%，产能利用率达72.8%，运营高效。

依托中国完备供应链，英诺赛科在制造自主、人才汇聚上领先一步，与众多消费电子品牌紧密合作，新品开发、出货一马当先，又将触角伸向数据中心、电动汽车等前沿，供应链优势尽显。前瞻布局应用生态。公司成立以来，一直致力于建设广泛的氮化镓应用生态，不断推出创新产品。

以最新推出的100V半桥氮化镓功率芯片ISG3201为例，适用于48V功率系统、电动工具等高频高功率场景。VGaN系列产品INN040W048A属于全球首款双向导通氮化镓器件，能够应用于智能手机USB/无线充电端口。

当下，AI、电动汽车、机器人蓬勃兴起，氮化镓凭高频、高能效优势在功率半导体领域崭露头角。弗若斯特沙利文预测2023-2028年全球氮化镓功率半导体市场规模飙升，复合增长率达98.5%，中国“十四五”规划亦大力扶持。英诺赛科站在时代潮头，破解IDM“重资产困境”，以“全供应链+研发制造协同+全应用生态”全新矩阵，改写盈利速度，重塑全球功率半导体竞争格局，奏响行业发展最强音。

未来，在AI服务器、机器人和EV等新兴技术蓬勃兴起的大背景下，英诺赛科不仅为行业树立了如何在保证性能的同时降低成本的标杆，更为中国半导体产业实现弯道超车提供了范例，其未来发展值得全球瞩目。